Substrát z karbidu kremíka

kremíkkarbidový substrát:

a. Surovina: SiC sa nevyrába prirodzene, ale je zmiešaný s oxidom kremičitým, koksom a malým množstvom soli a grafitová pec sa zahrieva na viac ako 2000 ° C a vytvára sa A -SIC. Preventívne opatrenia, možno získať tmavozelenú polykryštalickú zostavu v tvare bloku;

b. Spôsob výroby: Chemická stabilita a tepelná stabilita SiC sú veľmi dobré. Bežnými metódami je ťažké dosiahnuť zhutnenie, preto je potrebné pridať spekanú pomôcku a použiť špeciálne metódy na vypaľovanie, zvyčajne metódou vákuového tepelného lisovania;

c. Vlastnosti substrátu SiC: Najvýraznejšou povahou je, že koeficient tepelnej difúzie je obzvlášť veľký, dokonca viac medi ako meď, a jeho koeficient tepelnej rozťažnosti je bližšie k Si. Samozrejme, existujú určité nedostatky, relatívne, dielektrická konštanta je vysoká a izolačné napätie je horšie;

D. Použitie: Na kremíkkarbidové substráty, dlhé predĺženie, viacnásobné použitie nízkonapäťových obvodov a vysokochladiacich balíkov VLSI, ako je vysokorýchlostná, vysoko integračná logická páska LSI a super veľké počítače, aplikácia substrátu s kreditnou laserovou diódou pre svetelnú komunikáciu atď.

Substrát puzdra (BE0):

Jeho tepelná vodivosť je viac ako dvojnásobná ako A1203, čo je vhodné pre vysokovýkonné obvody a jeho dielektrická konštanta je nízka a môže byť použitá pre vysokofrekvenčné obvody. Substrát BE0 je v podstate vyrobený metódou suchého tlaku a môže byť vyrobený aj s použitím stopového množstva MgO a A1203, ako je tandemová metóda. Kvôli toxicite prášku BE0 existuje ekologický problém a substrát BE0 nie je v Japonsku povolený, môže sa dovážať iba zo Spojených štátov.